Описание
Твердотельный накопитель, объем 512 Гб. Форм-фактор 2280. Физический интерфейс PCIe 3.0 x4. Ключ M.2 разъема M. Поддержка NVMe. Контроллер Silicon Motion SM2265. Количество бит на ячейку: 4 бит QLC. Структура памяти 3D NAND. Скорость чтения до 3000 Мб/сек, скорость записи до 1600 Мб/сек.
