Описание

Твердотельный накопитель, объем 512 Гб. Поддержка Background Garbage Collection, TRIM. Ресурс (TBW) 180. Наработка на отказ до 2 млн.час. Поддержка NVMe. Интерфейс M.2 PCI-E Gen3 x4. Пропускная способность интерфейса 8 Гб/сек. Тип чипов QLC (Quad-Level Cell). Скорость чтения до 2200 Мб/сек, скорость записи до 1070 Мб/сек. Формат накопителя M.2 Type 2280 M Key.