Описание

Твердотельный накопитель, объем 512 Гб. Форм-фактор m2 2280, логический интерфейс PCI-E 3.0 x4. Поддержка NVMe. Контроллер Samsung Phoenix. Тип чипов памяти 2 бит MLC 3D NAND. Буферная память 1024 Мб, интерфейс NAND памяти: V-NAND. Максимальная скорость записи 2700 Мб/сек, максимальная скорость чтения 3500 Мб/сек. Пропускная способность интерфейса 32 Гбит/сек. Максимальный ресурс записи (TBW): 1200 Тб. Наработка на отказ до 1.5 млн.час. Максимальные перегрузки: 1500 G (0.5 мс). Поддержка TRIM, шифрование данных. Энергопотребление 5.7 Вт. Вес 8 гр.