Описание

Твердотельный накопитель, объем 1 Тб. Форм-фактор m2 2280, логический интерфейс PCI-E 3.0 x4. Поддержка NVMe. Контроллер Samsung Pablo. Тип чипов памяти 3D TLC (Triple Level Cell) V-NAND. Интерфейс NAND памяти: V-NAND. Максимальная скорость записи 3000 Мб/сек, максимальная скорость чтения 3500 Мб/сек. Пропускная способность интерфейса 8 Гбит/сек. Максимальный ресурс записи (TBW): 600 ТБ. Наработка на отказ до 1.5 млн.час. Максимальные перегрузки: 1500 G (0.5 мс). Поддержка TRIM, шифрование данных. Энергопотребление 4.6 Вт в режиме Active, 0.05 Вт в режиме Idle. Вес 8 гр.